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2018年5月，华盛顿大学物理系博士生宋天城（82级系友宋智与82级系友申虹的儿子）以论文共同第一作者身份发表了，将巨隧穿磁阻效应推向二维，利用原子级厚度的二维磁性材料三碘化铬(CrI3)尝试编码信息，从而大幅度提升信息存储密度、降低能量耗损的成果。
南开二代宋天城博士表示：“我们的研究成果有望将基于磁性的信息存储发展到原子级厚度。”该论文的共同通讯作者之一，华盛顿大学许晓栋教授表示：“尽管目前我们的器件需要一定的磁场和低温条件，无法直接应用于现有技术，但是该器件的设计和工作原理是全新且突破性的。在未来的研究中，我们希望能通过电控制实现一些新功能，并升高其工作的温度，降低需要的磁场条件。这将有望为新型存储技术带来巨大的改变。”
这项研究成果有望用于新型的存储技术，论文中还特别指出当增加三碘化铬层数后可拥有更多的电子自旋组合，有望制备出 “多比特”信息存储的超薄磁性器件，实现更为高效的数据信息存储，带来存储技术的巨大飞跃。（全文完）